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J-GLOBAL ID：201002202088583498   整理番号：10A0268045

4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析

著者 (14件)： 松井公佑 (奈良先端科学技術大学院大) ,  松井文彦 (奈良先端科学技術大学院大) ,  橋本美絵 (奈良先端科学技術大学院大) ,  後藤謙太郎 (奈良先端科学技術大学院大) ,  西嘉山徳之 (奈良先端科学技術大学院大) ,  前島尚行 (奈良先端科学技術大学院大) ,  田中攻 (奈良先端科学技術大学院大) ,  松下智裕 (JASRI/SPring-8) ,  加藤有香子 (JASRI/SPring-8) ,  岡本武志 (大阪大 大学院) ,  服部梓 (大阪大 大学院) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院) ,  山内和人 (大阪大 大学院) ,  大門寛 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 1 第4分冊  ページ： 949  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *グラファイト ,  構造解析 ,  *光電子分光法 ,  円偏光 ,  *表面構造 ,  温度依存性 ,  半導体 ,  *グラフェン ,  *構造
準シソーラス用語： 円偏光二次元光電子分光法

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  グラフェン ,  形成過程 ,  組成 ,  構造解析