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J-GLOBAL ID：201002202214572995   整理番号：10A0282664

非対称ドープ障壁をもつCo/Al₂O₃/Si/Al₂O₃パーマロイのコンダクタンス

Conductance in Co/Al₂O₃/Si/Al₂O₃ permalloy with asymmetrically doped barrier

著者 (9件)： GUERRERO R. (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  ALIEV F. G. (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  VILLAR R. (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  SANTOS T. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  MOODERA J. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  DUGAEV V. K. (Rzeszow Univ. Technol., Rzeszow, POL) ,  DUGAEV V. K. (TU Lisbon, Lisbon, PRT) ,  BARNAS J. (Adam Mickiewicz Univ., Poznan, POL) ,  BARNAS J. (Inst. of Molecular Physics, Polish Acad. of Sci., Poznan, POL)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 1  ページ： 014404.1-014404.10  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *障壁 ,  非対称性 ,  *コンダクタンス ,  *磁気抵抗効果 ,  *コバルト ,  *酸化アルミニウム ,  *ケイ素 ,  *パーマロイ ,  *トンネル接合 ,  低周波雑音 ,  Coulombブロッケード ,  絶縁破壊 ,  単一層 ,  被覆率 ,  不純物準位 ,  ドーピング
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗 ,  バイアス電圧 ,  局在化 ,  原子密度 ,  *磁気トンネル接合

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非対称 ,  ドープ ,  障壁 ,  CO ,  Al2O3 ,  Si ,  パーマロイ ,  コンダクタンス