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J-GLOBAL ID：201002202656997782   整理番号：10A0555290

H-GaN(0001)面と反応するアルケンとアルキンのDFT(密度半関数理論)研究

A DFT Study of Alkenes and Alkynes Reacting with H-GaN(0001)Surface

著者 (4件)： HU Chun-Li (Dep. of Chemistry,Fuzhou Univ., 福建, 福州) ,  CHEN Yong (Dep. of Chemistry,Fuzhou Univ., 福建, 福州) ,  LI Jun-Qian (Dep. of Chemistry,Fuzhou Univ., 福建, 福州) ,  ZHANG Yong-Fan (Dep. of Chemistry,Fuzhou Univ., 福建, 福州)
資料名： Chinese Journal of Structural Chemistry  (Chinese Journal of Structural Chemistry)
巻： 28  号： 1  ページ： 125-131  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2524A  ISSN： 0254-5861  CODEN： JHUADF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PDFT(周期的密度半関数理論)計算を利用し,GaダングリングボンドによるH末端GaN(0001)面へのアルケンとアルキンの付加反応を研究した。H-GaN(0001)面とこれらのアルケンとアルキンの反応経路に関する詳細情報が得られ,反応が準安定中間体により分離された2段階(初期付加反応とH引抜過程)を含むことを示した。エチレン,スチレン,フェニルアセチレンケースで,エネルギー曲線から反応は明らかに実行可能である。一方,エチンでは,H引抜障壁が,中間体脱離障壁より高く,よって中間体における吸着C_2H_2は,安定な吸着種を生成するよりも気相へ脱離して戻るように思われる。更に,アルケンやアルキンで,フェニル基で置換した系は,π共役が安定性を改善するので,より安定な中間体を持つことは明らかである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *付加反応 ,  *アルケン ,  *アルキン ,  *窒化ガリウム ,  *末端基 ,  *水素 ,  ダングリングボンド ,  *密度汎関数法 ,  反応経路 ,  中間体 ,  多段階過程 ,  引抜反応 ,  ポテンシャルエネルギー曲線 ,  ポテンシャル障壁 ,  共役 ,  置換 ,  フェニル基 ,  安定性 ,  芳香族炭化水素 ,  ビニル化合物 ,  アセチレン化合物 ,  π共役

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  脂肪族化合物一般  (CF03010X) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  付加反応,脱離反応  (CF02030M)

物質索引 (3件)： エチレン ,  スチレン ,  フェニルアセチレン

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  アルケン ,  アルキン ,  DFT ,  密度 ,  関数 ,  理論 ,  研究