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J-GLOBAL ID：201002203188571337   整理番号：10A0781014

電子素子における緩衝層としてPEDOT型材料の応用に対する分光学的研究

A spectroscopic study for the application of a PEDOT-type material as buffer layer in electronic devices

著者 (4件)： PETRAKI F. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Patras and FORTH/ICE-HT, Gr-26504 Patras, GRC) ,  KENNOU S. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Patras and FORTH/ICE-HT, Gr-26504 Patras, GRC) ,  NESPUREK S. (Inst. of Macromolecular Chemistry AS CR, v.v.i., Heyrovsky Sq. 2, 162 06 Prague 6, CZE) ,  BILER M. (AVX Czech Republic Ltd., Dvorakova 328, 563 01 Lanskroun, CZE)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 8  ページ： 1423-1431  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線とUV光電子放出分光法によって鉄(III)トルエンスルホン酸の存在で3,4-(エチレンジオキシ)チオフェンの重合(PEDOT:PTSA)と同様にNiPc/PEDOT:PTSA系の界面特性によって調製した高分子ブレンドの性質を調べた。NiPc/PEDOT:PSS(ポリ3,4-(エチレンジオキシ)チオフェン-スルホン化ポリスチレン)とNiPc/ITO界面について先に調べた結果と結果を比較した。NiPc中のFermi準位位置の決定に対する参照として非反応NiPc/Au界面を使用した。NiPc/PEDOT:PTSAとNiPc/PEDOT:PSS界面について観測した種々の性質を両高分子の異なる化学構造の面で考察した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリエチレンジオキシチオフェン ,  化学酸化重合 ,  鉄錯体 ,  *ニッケル錯体 ,  フタロシアニン錯体 ,  *ポリマブレンド ,  *ポリスチレンスルホン酸 ,  *Fermi準位 ,  バンド構造 ,  結合エネルギー ,  HOMO ,  仕事関数 ,  電子構造 ,  バッファ層 ,  固体素子 ,  光電子放出 ,  X線光電子分光法 ,  光電子分光法 ,  スルホン酸 ,  芳香族化合物 ,  大環状化合物 ,  窒素複素環化合物 ,  架橋化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  UPS【電子分光】 ,  電子素子
準シソーラス用語： PEDOT ,  XPS ,  スルホン化ポリスチレン ,  緩衝層 ,  高分子ブレンド

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

物質索引 (2件)： p-トルエンスルホン酸 ,  フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子素子 ,  緩衝層 ,  PEDOT ,  型材料 ,  応用 ,  分光学的研究