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J-GLOBAL ID：201002203370680842   整理番号：10A0618730

エピタキシャルZnSnP₂の閃亜鉛鉱型相と黄銅鉱型相のバンドギャップ

Band gap of sphalerite and chalcopyrite phases of epitaxial ZnSnP₂

著者 (3件)： ST-JEAN P. (Ecole Polytechnique de Montreal, Montreal, Quebec H3C 3A7, CAN) ,  SERYOGIN G. A. (NEXX Systems, Billerica, Massachusetts 01821, USA) ,  FRANCOEUR S. (Ecole Polytechnique de Montreal, Montreal, Quebec H3C 3A7, CAN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 23  ページ： 231913  発行年： 2010年06月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無接触エレクトロリフレクタンスを使って,エピタキシャルZnSnP₂の既知の2つの相のバンドギャップを決定した。エピタクシー中,Sn/Znフラックス比を小さく変化させると,閃亜鉛鉱型相と黄銅鉱型相の間に秩序-無秩序転移が誘起されて,バンドギャップが300meVだけ小さなった。X線回折によりあいまい性なく同定した黄銅鉱型相秩序相は293Kで1.683eVのバンドギャップを見せた。無秩序閃亜鉛鉱型相のバンドギャップは1.383eVであった。黄銅鉱試料で測定した体積平均した秩序パラメータを使って,その形態は,無秩序化マトリックス内部に完全に秩序化した分域が存在するとして最もうまく記述できることを見いだした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電界反射 ,  リン化物 ,  *亜鉛化合物 ,  スズ化合物 ,  化合物半導体 ,  *閃亜鉛鉱型結晶 ,  *黄銅鉱型結晶 ,  結晶構造 ,  *バンドギャップ ,  MBE成長 ,  秩序無秩序転移 ,  秩序パラメータ
準シソーラス用語： *エレクトロリフレクタンス

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  閃亜鉛鉱 ,  黄銅鉱 ,  バンドギャップ