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J-GLOBAL ID：201002204565935531   整理番号：10A0850776

溶液加工処理による高性能亜鉛-インジウム-スズ酸化物非晶質薄膜トランジスタ

High-Performance Solution-Processed Amorphous Zinc-Indium-Tin Oxide Thin-Film Transistors

著者 (7件)： KIM Myung-Gil (Northwestern Univ., Illinois) ,  KIM Hyun Sung (Northwestern Univ., Illinois) ,  HA Young-Geun (Northwestern Univ., Illinois) ,  HE Jiaqing (Northwestern Univ., Illinois) ,  KANATZIDIS Mercouri G. (Northwestern Univ., Illinois) ,  FACCHETTI Antonio (Northwestern Univ., Illinois) ,  MARKS Tobin J. (Northwestern Univ., Illinois)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 132  号： 30  ページ： 10352-10364  発行年： 2010年08月04日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質酸化物薄膜トランジスタ(TFT)の開発を志向し,Zn-In-Sn-O薄膜を用いるTFTの作製について,構造的な特性化などにより検討した。溶液内反応で調製したZnIn₄Sn₄O₁₅組成の薄膜は,自己集合によるナノ誘電体(4′-置換フェニルジアゾ-1-置換ピリジニウム(ヨウ化物)をゲート誘電体に用いると,TFT(上面接触構成;n-型,p-型Siウエハ(ゲート電極)上に作製)の移動度が変化せずにオフ電流を低減化でき,高い電界効果電子移動度とオン/オフ電流比,低い動作電圧(<2V)などが可能になる。Zn_9-2xIn_xSn_xO_9+1.5x(x=1~4)とZnIn_8-xSn_xO_13+0.5x(x=1~7)の両組成の薄膜について電子的性質などを比較し,キャリヤー捕捉部位の減少とキャリヤー発生酸素空格子点の形成にはIn³⁺とSn⁴⁺の混合による構造緩和及び緻密化が有効と判断した。

シソーラス用語： *非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  *亜鉛化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  *酸化物 ,  半導体薄膜 ,  ピリジニウム ,  酸化膜 ,  キャリア移動度 ,  空格子点 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  酸素空格子点 ,  電界効果移動度 ,  電子移動度

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液 ,  加工処理 ,  亜鉛 ,  インジウム ,  スズ酸化物 ,  非晶質薄膜 ,  トランジスタ