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J-GLOBAL ID：201002205370845364   整理番号：10A0496624

共鳴ナノフォトニックイオン生成用のテーラードシリコンナノポストアレイ

Tailored Silicon Nanopost Arrays for Resonant Nanophotonic Ion Production

著者 (5件)： WALKER Bennett N. (George Washington Univ., Washington, D.C.) ,  STOLEE Jessica A. (George Washington Univ., Washington, D.C.) ,  PICKEL Deanna L. (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  RETTERER Scott T. (Oak Ridge National Lab., Tennessee) ,  VERTES Akos (George Washington Univ., Washington, D.C.)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 11  ページ： 4835-4840  発行年： 2010年03月25日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の径,高さ,周期のシリコンナノポストアレイ(NAPA)をp型シリコンウエハから電子ビームリソグラフィーで製作し,本テーラードNAPAからのレーザ光誘起脱着イオン化を調べた。吸着物質(ペプチド)の脱着イオン化へのNAPAサイズ効果およびレーザフルエンスを詳しく調べた。ナノポストのアスペクト比の選択が共鳴ナノフォトニックイオン生成に重要あることを示した。

シソーラス用語： 脱着 ,  *イオン化 ,  レーザ照射 ,  *ケイ素 ,  *アレイ ,  *ナノ構造 ,  サイズ効果 ,  アスペクト比 ,  ペプチド ,  質量スペクトル
準シソーラス用語： *ナノアレイ ,  *ナノフォトニクス ,  *ナノ柱 ,  レーザフルエンス ,  光誘起脱着

分類 (3件)： 量子光学一般  (BD04010X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (1件)： 共鳴