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J-GLOBAL ID：201002206085553534   整理番号：10A0667640

Crを少量ドープしたZnOナノ粒子の室温強磁性

Room-temperature ferromagnetism in lightly Cr-doped ZnO nanoparticles

著者 (5件)： DUAN L. B. (Northwestern Polytechnical Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHAO X. R. (Northwestern Polytechnical Univ., Xi’an, CHN) ,  LIU J. M. (Northwestern Polytechnical Univ., Xi’an, CHN) ,  WANG T. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  RAO G. H. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 99  号： 3  ページ： 679-683  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属をドープしたZnOは室温における最も有望な希釈磁性半導体と理論で予測されている。Zn_1-xCr_xO(0≦x≦0.15)ナノ粒子を自動燃焼法で合成し,X線回折とRaman散乱により特性化した。ZnO中のCrの固溶限界はx≒0.03であった。x=0.01と0.02の試料の強磁性を室温で観測した。CrドープとCoドープZnOのRamanスペクトルを比較した。ドナー欠陥とキャリアに関係するRaman散乱ピーク強度と磁化の増強は,少量のCrドーピングが高い室温強磁性を得るための効率的方法であることを示唆した。

シソーラス用語： 磁性半導体 ,  *強磁性 ,  *酸化亜鉛 ,  クロム ,  ドーピング ,  *ナノ粒子 ,  Ramanスペクトル ,  Raman散乱 ,  X線回折 ,  磁化 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 希釈磁性半導体

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cr ,  ドープ ,  ZnOナノ粒子 ,  室温強磁性