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J-GLOBAL ID:201002206340911059   整理番号:10A0467048

CoドープおよびNiドープ炭素薄膜の電気および機械特性の評価

Electrical and Mechanical Characteristics of Co-Doped and Ni-Doped Carbon Thin Films
著者 (3件):
資料名:
巻: 61  号:ページ: 379-383  発行年: 2010年05月01日 
JST資料番号: G0441B  ISSN: 0915-1869  CODEN: HYGIEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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金属ドーピングを用いて導電性,耐摩耗性の炭素薄膜を得るために,Si基板上にRFスパッタリングによりCo,Niドープ炭素薄膜を蒸着した。薄膜のドーパント濃度,電気抵抗率,引かき硬さ,炭素のsp2およびsp3結合の割合および微細構造の評価を行った。Coドープ膜の電気抵抗率はドーパント濃度が1at%の時には無ドープの炭素膜と比較して著しく低減し,ドーパント濃度の増大によりさらに僅かに低減した。ドーパント濃度の増大によりNiドープ膜の電気抵抗率は低減した。CoドープおよびNiドープ膜の引かき硬さは金属濃度がそれぞれ6at%および5at%以下の時には無ドープ膜とほぼ等しかった。Coドープ膜の引かき硬さはドーパント濃度が7at%を越えると僅かに低下した。一方,Niドープ膜の引かき硬さはドーパント濃度が7at%を越えると著しく低下した。ドーパント濃度が12at%以下のCoドープ膜は電気抵抗率が低く,引かき硬さが高いため,実用の観点から最も適している。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 

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