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J-GLOBAL ID：201002206558634383   整理番号：10A0270693

PtとNbドープSrTiO₃単結晶からなる接合における局所伝導

Local conduction in junctions composed of Pt and single-crystalline Nb-doped SrTiO₃

著者 (3件)： KAN Daisuke (Inst. for Chemical Res., Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011 Japan) ,  ITO Kimihiko (Device Platforms Res. Laboratories, NEC Corp., 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198 Japan) ,  SHIMAKAWA Yuichi (Inst. for Chemical Res., Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011 Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 12  ページ： 3246-3249  発行年： 2010年04月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PtとNbドープSrTiO₃単結晶からなる接合の電気的性質を研究した。作製された接合は整流特性と高および低抵抗状態によるヒステリシス電流電圧特性を示した。電流は抵抗状態にかかわらず上部電極の面積にほとんど依存しなかったが,接合容量は両抵抗状態において面積との線形関係を示した。電流は印加電圧の極性に依存する時間変化も示した。観察された挙動は,それに沿って電流が主に電子の捕獲と放出過程を通して流れる,導電チャンネルの存在を考慮することによって理解できた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *白金 ,  ニオブ ,  ドーピング ,  *チタン酸ストロンチウム ,  N型半導体 ,  *半導体金属接合 ,  単結晶 ,  *電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  ヒステリシス ,  電気抵抗率 ,  界面 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  Nb ,  ドープ ,  単結晶 ,  伝導