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J-GLOBAL ID：201002206836200080   整理番号：10A0589300

超接合MOSFET

Superjunction MOSFET

著者 (3件)： OONISHI Yasuhiko (Fuji Electric Holdings Co., Ltd.) ,  OOI Akihiko (Fuji Electric Systems Co., Ltd.) ,  SHIMATOU Takayuki (Fuji Electric Systems Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 56  号： 2  ページ： 65-68  発行年： 2010年05月20日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,新たに開発した業界最高水準の低オン抵抗,L負荷アバランシェ耐量の600Vクラスの超接合MOSFET(SJ-MOSFET)の製造方法および特性を紹介した。不純物濃度制御に優れた多段エピタキシャル技術を適用し,定格600V/0.16ΩのSJ-MOSFETを作製した。作製したSJ-MOSFETは,超接合構造の不純物濃度最適化により,従来の富士電機製MOSFETに対し約70%のオン抵抗低減を達成した。また,超接続構造の不純物濃度プロファイル,n型バッファ層の最適化により,定格電流以上のL負荷アバランシェ耐量を確保した。

シソーラス用語： *半導体接合 ,  *MOSFET ,  オン抵抗 ,  不純物濃度 ,  エピタクシー ,  バッファ層 ,  電子なだれ
準シソーラス用語： *超接合 ,  *パワーMOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• Fujihira, T. Theory of Semiconductor Superjunction Devices. Jpn. J. Appl. Phys. Oct.1997, vol.36, p. 6254-6262.
• Deboy, G. et al. A New Generation of High Voltage MOSFETs Breaks the Limit Line of Silicon. Proc. IEDM.1998, p. 683-685.
• Kobayashi, T., et al, High-Voltage Power MOSFETs Reached Almost to the Si limit. Proc. ISPSD 2001, p. 99-102.
• Niimura, Y., et al. A Low Loss, Low Noise and Robust 500 to 900 V Class Power MOSFET with Multiple RESURF Guardring Edge Structure. Proc. PCIM. China, June 2009, p. 150-155.
• Onishi, Y. et al.24 mΩ・•cm₂ 680 V Silicon Superjunction. MOSFET. Proc. ISPSD. June 2002, p. 241-244.

タイトルに関連する用語 (1件)： MOSFET