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J-GLOBAL ID：201002207020290613   整理番号：10A0794372

ナノエレクトロニクスのためのPd/Au/SiCナノ構造ダイオード:室温電気特性

Pd/Au/SiC Nanostructured Diodes for Nanoelectronics: Room Temperature Electrical Properties

著者 (4件)： RUFFINO Francesco (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  CRUPI Isodiana (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  IRRERA Alessia (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  GRIMALDI Maria Grazia (Universita di Catania, Catania, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 9  号： 4  ページ： 414-421  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky障壁高さ(SBH)の不均一性が多くの関心を集めている。本稿はメタルナノ粒子(NP)による局部的に制御されたナノ不均一性を調べた。Pd/Au/SiCナノ構造SchottkyダイオードでAu NPをマクロ的Pd/SiCコンタクトの界面に埋め込み,NPのサイズが電気特性に与える影響を調べた。NPサイズ,NP表面密度などはアニール時間を変えて制御した。熱イオン放出の標準理論を使って実効SBHと実効理想因子のアニール温度を求め,それらがAu NPサイズの調整によって制御最適化されることを示した。平均NPサイズが増加して実効SBHが増加すると実効理想因子は減少する。実効SBHの実効理想因子への依存性を解析して,均一Pd/SiCSchottky コンタクトに対するφ^hom_B=(0.91±0.02)eVを得た。従って,メタル半導体界面にAu NPを埋め込んだPd/SiCマクロダイオードは不均一Schottkyダイオードと理解される。

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  パラジウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  炭化ケイ素 ,  電子技術 ,  電気特性 ,  因子 ,  Schottky障壁 ,  電流電圧特性 ,  不均一性
準シソーラス用語： Pd ,  SiC ,  ナノエレクトロニクス ,  *金ナノ粒子 ,  理想因子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノエレクトロニクス ,  Pd ,  Au ,  SiC ,  ナノ構造 ,  ダイオード ,  室温 ,  電気特性