黄銅鉱型Cu(In,Ga)(S,Se)<sub>2</sub>ベースの薄膜太陽電池のための応力緩衝材と透明導電酸化物:現況と現開発

NAGHAVI N.; ABOU-RAS D.; ALLSOP N.; BARREAU N.; BUECHELER S.; ENNAOUI A.; FISCHER C.-H.; GUILLEN C.; HARISKOS D.; HERRERO J.; KLENK R.; KUSHIYA K.; LINCOT D.; MENNER R.; NAKADA T.; PLATZER-BJOERKMAN C.; SPIERING S.; TIWARI A. N.; TOERNDAHL T.

文献

J-GLOBAL ID：201002208413838595 整理番号：10A1011373

黄銅鉱型Cu(In,Ga)(S,Se)₂ベースの薄膜太陽電池のための応力緩衝材と透明導電酸化物:現況と現開発

Buffer layers and transparent conducting oxides for chalcopyrite Cu(In,Ga)(S,Se)₂ based thin film photovoltaics: present status and current developments

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資料名：
巻： 18 号： 6 ページ： 411-433 発行年： 2010年09月
JST資料番号： W0463A ISSN： 1062-7995 CODEN： PPHOED 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Cu(In,Ga)(S,Se)₂ベースの黄銅鉱型薄膜太陽電池の製造技術は,大量生産のための成熟段階に達している。現在,最高の変換効率(1.5cm²:19.9%)は,化学浴蒸着(CBD)により堆積したCdS応力緩衝材を用いて得られている。しかしながら,CdS緩衝材の2.2-2.5eVのバンドギャップエネルギーは,とりわけ低波長領域において,電池の最適性能レベルを制限している。最近10年間に開発された最も見込みのある緩衝材は,本質的にIn₂S₃,ZnS,ZnMgO及び,そのオキシ水酸化物誘導体組成に基づいている。ほとんどの緩衝材は,CdSと比較して同等,あるいはそれ以上の効率に達していると思われる。無Cd緩衝材にとって,短い蒸着時間や大面積蒸着システムの問題は,解決されつつあるが,光浸漬やアニールのような前処理の必要性,長期の安定性の重要な技術的問題は未だ解決されていない。電池やモジュールの無Cd効率の向上に努力が注がれてきた一方で,今後の商業化に向けて安定度を向上させるための電池の異なる接合面形成に関して,今なお,重要な進捗が必要とされている。

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太陽電池

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黄銅鉱型Cu(In,Ga)(S,Se)2ベースの薄膜太陽電池のための応力緩衝材と透明導電酸化物:現況と現開発

黄銅鉱型Cu(In,Ga)(S,Se)₂ベースの薄膜太陽電池のための応力緩衝材と透明導電酸化物:現況と現開発