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J-GLOBAL ID：201002209229007962   整理番号：10A0704075

シリコンキャップ内のナノパイプを通過するCrSi₂ナノ結晶の移動

Migration of CrSi₂ nanocrystals through nanopipes in the silicon cap

著者 (5件)： GALKIN N.g. (Inst. for Automation and Control Processes of Far Eastern Branch Russian Acad. of Sciences, 690041 Vladivostok ...) ,  DOZSA L. (Res. Inst. for Technical Physics and Materials Sci., Konkoly Thege 29-33, H-1525 Budapest, P.O. Box 49, HUN) ,  CHUSOVITIN E.a. (Inst. for Automation and Control Processes of Far Eastern Branch Russian Acad. of Sciences, 690041 Vladivostok ...) ,  PECZ B. (Res. Inst. for Technical Physics and Materials Sci., Konkoly Thege 29-33, H-1525 Budapest, P.O. Box 49, HUN) ,  DOBOS L. (Res. Inst. for Technical Physics and Materials Sci., Konkoly Thege 29-33, H-1525 Budapest, P.O. Box 49, HUN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 23  ページ： 7331-7334  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CrSi₂ナノ結晶(NC¹)を,550°Cでのクロムの反応性蒸着エピタクシーにより作成した。蒸着後,クロムはシリコン表面上に約20~30nmの点に局在した。700°Cで分子ビームエピタキシーによって作成したシリコンキャップでNCを覆った。シリコンキャップ内でのNCの再分布を,透過型電子顕微鏡と原子間力顕微鏡で調べた。NCは,蒸着深さで部分的に局在し,また一部は表面付近へ移動していた。CrSi₂ NCの新しいマイグレーション機構,すなわち,シリコンキャップ内に形成されたナノパイプを通過して,バルクから表面へ移動する現象を観測した。CrSi₂ NCの再分布は,クロムの蒸着速度とキャップの成長温度に強く依存する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  ナノ結晶 ,  *移動 ,  保護膜 ,  ケイ素 ,  量子ドット ,  格子欠陥 ,  ケイ化物 ,  クロム化合物 ,  化学蒸着 ,  エピタクシー ,  MBE成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  再分布
準シソーラス用語： *ナノパイプ ,  キャップ層 ,  シリコン ,  反応性蒸着 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  キャップ ,  ナノパイプ ,  ナノ結晶