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J-GLOBAL ID：201002209891777298   整理番号：10A0491105

クラックエタノールを用いた気体源分子ビームエピタクシーによる種々の基板上の薄い黒鉛組織の形成

Thin Graphitic Structure Formation on Various Substrates by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol

著者 (2件)： MAEDA Fumihiko (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIBINO Hiroki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DH13.1-04DH13.6  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クラックエタノール源を用いた気体原料分子ビームエピタクシー(MBE)によるグラフェン成長を調べた。薄い酸化膜を有するSi基板,c面サファイア,SiC上に形成したグラフェン層を基板に用いて,グラフェン成長の最適条件を調べた。Raman分光法とX線光電子分光法による解析では,Siとサファイア上にはグラファイト状物質の薄膜が形成されたものの,グラフェンは殆ど形成されないか又は形成されても微量であった。三種類の基板上の公称成長速度を推定し,グラフェン上の成長速度が他の基板上の成長速度よりも遥かに遅いことを発見した。グラフェン上のグラフェンの成長過程を反射高速電子回折により調べ,二次元のグラフェン島状構造が横方向に成長するものの,その横配向は整列しないことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *グラファイト ,  *黒鉛組織 ,  Raman分光法 ,  X線光電子分光法 ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  成長速度 ,  RHEED ,  島状構造 ,  グラフェン ,  サファイア基板
準シソーラス用語： 反射高速電子回折

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (17件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306(2004)666.
• F. Miao, S. Wijeratne, Y. Zhang, U. C. Coskun, W. Bao, and C. N. Lau: Science 317(2007)1530.
• K. S. Novoselov, Z. Jiang, Y. Zhang, S. V. Morozov, H. L. Stormer, U. Zeitler, J. C. Maan, G. S. Boehinger, P. Kim, and A. K. Geim: Science 315(2007)1379.
• A. J. van Bommel, J. E. Crombeen, and A. van Tooren: Surf. Sci.48(1975)463.
• C. Oshima and A. Nagashima: J. Phys.: Condens. Matter 9(1997)1.

タイトルに関連する用語 (5件)： クラック ,  エタノール ,  気体 ,  分子ビームエピタクシー ,  黒鉛組織