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J-GLOBAL ID：201002210155880730   整理番号：10A1124833

エピタキシャルラテラルオーバーグロースにより成長させた半極性(11-22)窒化ガリウムのミクロ構造,光学,及び電気特性の評価

Microstructural, optical, and electrical characterization of semipolar (1122) gallium nitride grown by epitaxial lateral overgrowth

著者 (4件)： ZHU Tongtong (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  JOHNSTON Carol F. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  KAPPERS Menno J. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  OLIVER Rachel A. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 8  ページ： 083521  発行年： 2010年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルラテラルオーバーグロースにより,m面(1-100)サファイア上に半極性(11-22)窒化ガリウム(GaN)膜を成長させた。透過型電子顕微鏡法(TEM)研究により,膜表面から[0001]軸が32°傾斜し,これに用いた反応条件下で高い[0001]成長速度が組合って,[0001]に沿った低欠陥密度(LDD)のウィング成長から部分オーバーグロースの高度に欠陥性のウィンドウ領域やその他のウィングが可能となり,その結果,合体境界が生じ,そこで積層欠陥と転位が終端するらしいことを示した。低温の陰極線ルミネセンス(CL)を測定して,その光学特性を成長過程の様々な段階と相関付けた。LDDウィングからの発光は近バンド端再結合から主に生じ,底面の積層欠陥と関係する3.42eVの発光バンドと,多分プリズマティック積層欠陥と部分転位からの発光と関係する3.15-3.38eVからの幅広いバンドがこのウィンドウ領域で観測された。走査容量顕微鏡法(SCM)研究により,ほぼ膜全領域が意図的ではないがn型ドープされていることを示した。この非意図的なドーピングの空間変動をオーバーグロース過程と相関付けて,(11-22)ファセットと(0001)ファセットとの異なる不純物取り込み率が観測された。aあるいはa+c型の転位はTEMにより,LDDウィングの成長方向に向かって曲がっていることが分った。これらは断面CL及びSCM研究により無放射性らしいことが分った。また,これらは局所電気特性にも影響することが分った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  結晶粒界 ,  *積層欠陥 ,  *転位【結晶】 ,  *陰極線ルミネセンス ,  再結合放射 ,  部分転位 ,  スペクトル線帰属 ,  ドーピング ,  N型半導体 ,  不純物分布
準シソーラス用語： *MOVPE ,  走査型容量顕微鏡

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  半極性 ,  窒化ガリウム ,  ミクロ構造 ,  光学 ,  電気特性 ,  評価