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J-GLOBAL ID：201002210197680358   整理番号：10A1324505

Ge_1-xMn_xTe希薄磁性半導体の電子スピン共鳴スペクトルに於ける異常

Anomalies in electron spin resonance spectra of Ge_1-xMn_xTe diluted magnetic semiconductors

著者 (6件)： ZVEREVA E. A. (Fac. of Physics, Moscow State Univ., 119991 Moscow, RUS) ,  SAVELIEVA O. A. (Fac. of Physics, Moscow State Univ., 119991 Moscow, RUS) ,  PRIMENKO A. E. (Fac. of Physics, Moscow State Univ., 119991 Moscow, RUS) ,  IBRAGIMOV S. A. (Fac. of Chemistry, Moscow State Univ., 119991 Moscow, RUS) ,  SLYN’KO E. I. (Inst. of Material Sci. Problems, 274001 Chernovtsy, UKR) ,  SLYN’KO V. E. (Inst. of Material Sci. Problems, 274001 Chernovtsy, UKR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 9  ページ： 093923  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者達は,90Kに達するCurie温度を持つ強磁性が明らかになっている希薄磁性半導体Ge_1-xMn_xTe(x=0.07-0.44)の磁気的性質とXバンド電子スピン共鳴(ESR)の研究を報告する。0.15≦x≦0.26の範囲で,Curie定数から見積もられた,Mn²⁺イオン当たりの実効磁気能率p_effは2.27から2.95μ_Bへ増加する。ESRスペクトルの温度進化は複雑な特性を持つことが見出される。著者達はこれらの希薄磁性半導体に於ける2つの共鳴中心に付随した,Dyson型の2つの識別される吸収線の存在を観測した。これらの2つの吸収線の可能な起原が解析され,クラスターをつくる効果が異常な挙動を最も引き起こすとして提案された。線幅及びg因子の温度依存性に於ける異常が160Kより低い温度で観測された。著者達はこの異常を強磁性相への転移近傍での磁気的揺らぎと関係づける。常磁性領域での線幅の異常な拡幅は,関係のあるA₂MnB₆希薄磁性半導体のESR挙動に似て下降する温度と共に起こる。この拡幅は修正されたHuber理論の枠内で立派に記述される。同時に,g因子は本質的に温度と混晶組成の両方に依存しない。室温での,2つの分離したスペクトル成分にたいする実効g因子の平均値はg₁=2.02-2.07及びg₂~1.99であると見出された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁性半導体 ,  *スペクトル ,  Curie温度 ,  強磁性 ,  *磁気モーメント ,  スペクトル線帰属 ,  磁気転移 ,  *g因子
準シソーラス用語： *希薄磁性半導体 ,  *電子スピン共鳴スペクトル

分類 (1件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M)

タイトルに関連する用語 (2件)： 希薄磁性半導体 ,  電子スピン共鳴スペクトル