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J-GLOBAL ID：201002210284301355   整理番号：10A1535522

SiC半導体のパワーデバイス開発と実用化への戦略-新規半導体デバイス開発における産総研の役割-

著者 (1件)： 荒井和雄 (産業技術総合研)
資料名： Synthesiology  (Synthesiology)
巻： 3  号： 4  ページ： 259-271  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： L6839A  ISSN： 1882-6229  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC半導体について,産総研に関する国家プロジェクトを中心に,15年を超える実用化に向けての研究開発活動をたどり,今後の課題を述べた。パワー密度から見た電力変換器のロードマップ,SiC素子が導入された時の日本の省エネルギー効果,SiC単結晶成長技術開発,カーボン面素子の開発,パワーモジュール技術の諸問題,SiC単結晶ウエハ作成技術,カーボン面上に作成されたIEMOSFETの素子構造とその効果,埋め込みゲート型のSITの構造と静特性,アンペア級のスイッチのオン抵抗と阻止電圧のトレンドなどを述べた。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *バンドギャップ ,  ウエハ【IC】 ,  *パワーエレクトロニクス ,  電力変換器 ,  *信頼性 ,  *人材育成 ,  *省エネルギー ,  技術開発 ,  単結晶 ,  エピタクシー ,  *研究所
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  産総研

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (5件)：

• [1] (財)エネルギー総合工学研究所: 超長期エネルギー技術ロードマップ報告書 http://www.iae.or.jp/research/result/cho06.html
• [2] 吉田貞史他: 特集-耐放射線半導体基礎技術-, 電子技術総合研究所彙報, 58 (2) (1994).
• [3] 「ハードエレクトロニクス調査研究報告I」(社)日本電子工業振興協会(平成7年3月)及び「ハードエレクトロニクス調査研究報告II」(社)日本電子工業振興協会 (平成8年3月).
• [4] 荒井和雄, 吉田貞史編: SiC素子の基礎と応用, オーム社 (2003).
• [5] FREEDM Systems Center http://www.freedm.ncsu.edu/

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  パワーデバイス ,  開発 ,  実用化 ,  戦略 ,  半導体デバイス ,  産総研 ,  役割