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J-GLOBAL ID:201002210915418241   整理番号:10A0675486

太陽電池向け薄膜用化合物

著者 (3件):
資料名:
号: 7月号別冊  ページ: 32-36  発行年: 2010年06月25日 
JST資料番号: F0040A  ISSN: 0387-0774  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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化合物系太陽電池の光吸収層に用いられているCu(In,Ga)Se2ターゲットの製造技術と成膜評価の結果およびCu(In,Ga)Se2微粉末を紹介した。Cu(In,Ga)Se2化合物層(CIGS)ターゲットの特性について説明し,Se濃度,CIGS膜の結晶構造,ならびに断面のSEM観察の結果を示した。また,化合物系太陽電池の製造コストの大幅な低減が期待されるCIGSインクを用いたスクーリーン印刷法に使用される現在開発中の微粉末の製造に関しても言及した。
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (2件):
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