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J-GLOBAL ID：201002211289689412   整理番号：10A0093892

X線光電子分光法で探査したアナターゼTi_1-xCo_xO_2-δ薄膜の表面空乏層での磁性不純物と光誘起キャリアとの相互作用

Interplay between magnetic impurities and photoinduced carriers in surface depletion layer of anatase Ti_1-xCo_xO_2-δ thin film probed by x-ray photoemission spectroscopy

著者 (6件)： YAMASHITA N. (Dep. of Physics and Dep. of Complexity Sci. and Engineering, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Chiba 277-8561, JPN) ,  SUDAYAMA T. (Dep. of Physics and Dep. of Complexity Sci. and Engineering, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Chiba 277-8561, JPN) ,  MIZOKAWA T. (Dep. of Physics and Dep. of Complexity Sci. and Engineering, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Chiba 277-8561, JPN) ,  YAMADA Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  FUKUMURA T. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and PRESTO, Japan Sci. and Technol. Corp. (JST) ...) ,  KAWASAKI M. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 2  ページ： 021907  発行年： 2010年01月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アナターゼTi_1-xCo_xO_2-δ薄膜(x=0.05および0.10)について,紫外レーザ照射を用いたX線光電子分光測定を行って,表面領域でのCoスピンと光誘起キャリアとの相互作用を調べた。その結果,表面バンド湾曲は紫外照射によって除去されること,この結果は光誘起キャリアが表面空乏層に注入されることを示すこと,が分かった。このキャリア注入後に,化学ポテンシャルの位置は,光誘起キャリアとCoスピンとの間の磁気相互作用に起因するTi 3d伝導バンドの交換分裂に支配されることを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁性半導体 ,  化合物半導体 ,  *酸化チタン ,  ドーピング ,  コバルト ,  アナターゼ型結晶 ,  *半導体薄膜 ,  表面 ,  空乏層 ,  *レーザ照射 ,  紫外レーザ ,  キャリア注入 ,  伝導バンド ,  X線光電子スペクトル ,  磁性不純物 ,  キャリア ,  化学ポテンシャル ,  交換相互作用
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  電荷キャリア

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： X線光電子分光法 ,  探査 ,  アナターゼ ,  薄膜 ,  空乏層 ,  磁性不純物 ,  光誘起 ,  キャリア ,  相互作用