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J-GLOBAL ID：201002211511551300   整理番号：10A0618735

ウェット化学エッチングにより得たパターン化したr面サファイア上の半極性GaN膜

Semipolar GaN films on patterned r-plane sapphire obtained by wet chemical etching

著者 (5件)： DE MIERRY P. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  KRIOUCHE N. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  NEMOZ M. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  CHENOT S. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  NATAF G. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 23  ページ： 231918  発行年： 2010年06月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (11-22)方位GaN膜が化学エッチングによりパターン化したrサファイアから実現できることを示した。成長は先ずサファイアの傾斜したcファセットから選択的に起こり,その結果,(11-22)方位の完全に合体した層が最後にできる。このような層の構造及び光学的品質はX線回折,陰極線ルミネセンス,及び光ルミネセンス測定の測定から評価した。結果は,パターン化したrサファイア上の(11-22)GaNの品質はm面サファイア上の(11-22)GaNに比べて大幅に改善されることを明瞭に示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  パターン形成 ,  ファセット ,  X線回折 ,  *陰極線ルミネセンス ,  *光ルミネセンス ,  半導体薄膜 ,  ウェットエッチング ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： 化学エッチング

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学エッチング ,  サファイア ,  半極性 ,  GaN