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J-GLOBAL ID：201002211627066922   整理番号：10A0610148

交直ハイブリッド電解法により構造制御したポーラスアルミナをテンプレートとしたニッケルナノピラーの作製

Preparation of Nickel Nanopillars Using Structure-Controlled Porous Anodized Aluminum by Hybrid Electrolysis of AC and DC

著者 (4件)： 服部貴則 (近畿大 理工) ,  有山雄介 (近畿大 理工) ,  藤野隆由 (近畿大 理工) ,  伊藤征司郎 (近畿大 理工)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 61  号： 6  ページ： 452-457  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 純Al板についてシュウ酸浴中で周波数0.1~1000HzでのAC-DCハイブリッド電解およびDC定電位電解によりアノード酸化膜を形成した。アノード酸化膜の細孔にPd触媒をめっきした。それに続いてアノード酸化膜にNi電解めっきを行った。その後にアノード酸化膜を室温のNaOH水溶液(5モル/dm³)中で溶解してNiナノピラーの集合体(直径約50~90nm)を得た。SEM観察によるとアノード酸化膜の細孔径および数密度はAC周波数に支配される。周波数と細孔径との関係は逆比例関係であった。さらにアノード酸化膜をテンプレートとして用いて調製したNiナノピラーの直径はアノード酸化膜の細孔径に従って変化した。すなわち,細孔径を変えたアルミニウムアノード酸化膜をテンプレートとすることにより,Niナノピラーの直径などを制御することが可能である。

シソーラス用語： 配列 ,  *ナノロッド ,  *ニッケル ,  アルミニウム ,  *アノード酸化 ,  *酸化膜 ,  *アルミナ ,  *多孔質体 ,  *ニッケルめっき ,  拡孔 ,  細孔径 ,  数密度 ,  *型 ,  *多孔質アルミナ ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： *テンプレート【型】 ,  ピラーアレイ

分類 (2件)： 電鋳  (WC08040Y) ,  粉末製造  (WC02020M)

引用文献 (18件)：

• 1) 小柳光正 ; 次世代半導体メモリーの最新技術,p.297 ((株)シーエムシー出版,2009).
• 2) K. Sayama ; AIST today, 8, 10 (2008).
• 3) Z. Wang, Y. Su, H. Li ; Appl. Phys. A, 74, 563 (2002).
• 4) M. Gao, L. Dai, G. Wallace ; Electroanalysis, 15, 13 (2003).
• 5) J. Wang, M. Mustafa ; Analyst, 75, 2075 (2003).

タイトルに関連する用語 (7件)： 電解法 ,  構造制御 ,  ポーラスアルミナ ,  テンプレート ,  ニッケル ,  ナノピラー ,  作製