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J-GLOBAL ID：201002212005923921   整理番号：10A0978317

電気破壊近傍の局所電界強度の決定

Determination of the local Electric Field Strength near Electric Breakdown

著者 (5件)： GEINZER T. (Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  HEIDERHOFF R. (Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  PHANG J. C. H. (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  BALK L. J. (Univ. Wuppertal, Wuppertal, DEU) ,  BALK L. J. (National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 280-285  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビーム誘起電流と光子放出顕微鏡は,局所電界強度の決定用有望方法である。電気破壊近傍の詳細な把握のため,光ビーム誘起電流(OBIC)とエネルギー分散光子放出顕微鏡(EDPEM)を補完することにより,半導体素子を解析した。OBICとEDPEMを走査型近接場光学顕微鏡と一体化した。局所電界強度の決定のため,両方法の可能性と限界および物理的背景について詳細に検討した。電気破壊前に,周波数選択動的OBIC方法を用いた局所空乏領域容量の測定により,電界分布を求めた。OBIC方法は,未知の複合素子のため高信頼度ではなかった。電気破壊時,EDPEMのみが,高精度と最適な信号対雑音比(SNR)で電界分布の評価を可能にした。EDPEMにより求めた一試料位置と他の位置での電界強度の定性的比較は,シリコンの同一結晶学的方位下でのみ可能であった。その局所分散関係を考慮する必要があるため,アバランシェ破壊時でのEDPEMにより求めた電界分布は,破壊前の周波数選択動的OBICデータを用いて,異なる結晶学的方位について補正する必要があることを示した。各方法は電気破壊近傍では制限されるため,局所電界強度の決定にはその解析を補完的に行う必要がある。

シソーラス用語： *電界強度 ,  *顕微鏡観察 ,  電流 ,  *絶縁破壊 ,  *故障解析 ,  *半導体素子 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  走査光学顕微鏡 ,  近接場 ,  光学顕微鏡法 ,  空乏層 ,  電位分布 ,  SN比 ,  ケイ素 ,  結晶方位
準シソーラス用語： エネルギー分散光子放出顕微鏡法 ,  光ビーム誘起電流 ,  走査型近接場光学顕微鏡 ,  EDPEM

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 破壊 ,  近傍 ,  電界強度