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J-GLOBAL ID：201002212013845476   整理番号：10A0857091

真空蒸着法を用いたAgInS₂薄膜の作製と評価

著者 (6件)： 栗原正次 (大日本スクリーン製造) ,  赤木洋二 (都城工高専) ,  白濱正尋 (都城工高専) ,  剣田貫治 (都城工高専) ,  瀬戸悟 (石川工高専) ,  吉野賢二 (宮崎大)
資料名： 都城工業高等専門学校研究報告  (Research Report of Miyakonojo National College of Technology)
号： 41  ページ： 39-44  発行年： 2007年01月 
JST資料番号： G0388A  ISSN： 0286-116X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AgInS₂(AIS)半導体は高効率な太陽電池を作製できる素材である。本研究ではAIS薄膜を作製し,その物性を調べた。ホットプレス法によりつくったAIS粉末を原料とし,真空蒸着法でAIS薄膜を作製した。作製した薄膜を結晶化するために,大気中100°C~500°Cで熱処理した。蒸着後300°C以上で熱処理を行うことでAIS結晶が成長し,400°C以上で熱処理すると単相のAIS結晶が成長した。熱処理温度が増加すると,結晶粒は増大していくことが確認された。透過スペクトルおよび反射スペクトルの結果より薄膜のバンドギャップを求めると,約1.90eVとなり,AIS結晶のバンドギャップとほぼ一致した。作製した薄膜をEPMA,サーモプローブ分析,PL測定,ホール測定により特性評価し,それらの結果を示した。

シソーラス用語： 真空蒸着 ,  薄膜成長 ,  銀化合物 ,  インジウム化合物 ,  硫化物 ,  *化合物半導体 ,  結晶化 ,  太陽電池 ,  *半導体薄膜 ,  アニーリング【現象】 ,  *熱処理条件 ,  結晶成長 ,  光ルミネセンス ,  X線回折分析 ,  キャリア移動度 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 真空蒸着法 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価