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J-GLOBAL ID：201002212194538162   整理番号：10A1103742

pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の電気的評価

著者 (3件)： 工藤智人 (北大 量集セ) ,  岡崎拓行 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.17A-P13-5  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： PN接合 ,  基板 ,  *リン化インジウム ,  *多孔性 ,  電気化学 ,  自己組織化 ,  単一層 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *電気伝導 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  ドーピング ,  濃度依存性 ,  光照射 ,  過渡応答 ,  光吸収 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  光応答 ,  *多孔質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： PN接合 ,  InP ,  多孔質構造 ,  評価