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J-GLOBAL ID：201002212498162878   整理番号：10A1144015

強磁性体/超伝導体構造の臨界温度と不均一電流分布に及ぼす平行磁場の効果

The influence of a parallel magnetic field on critical temperature and inhomogeneous current distribution of a ferromagnet/superconductor structure

著者 (6件)： AVDEEV Maxim (Kazan State Univ., Kazan, RUS) ,  KHUSAINOV Mansur (Kazan State Univ., Kazan, RUS) ,  KHUSAINOV Mansur (Kazan State Technical Univ. (KAI), Chistopol, RUS) ,  PROSHIN Yurii (Kazan State Univ., Kazan, RUS) ,  PROSHIN Yurii (Kazan State Technical Univ. (KAI), Chistopol, RUS) ,  TSAREVSKII Sergei (Kazan State Univ., Kazan, RUS)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 23  号： 10  ページ： 105005,1-8  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二層および三層の強磁性金属(F)/超伝導体(S)構造(F/SおよびF/S/F)のF/S界面に外部磁場Hを平行に加えた場合の伝導電子に及ぼす効果をUsadel方程式に基づいて調べた。F層の厚み(d_f)およびS層の厚み(d_s)は磁場侵入長(λ_H)よりずっと小さいものと仮定した。F/SおよびF/S/F系において,Hと伝導電子の軌道運動の相互作用を考慮に入れて臨界温度T_cのd_f存性を計算した。磁場HはS/FおよびF/S/Fヘテロ構造の超伝導性を抑制するだけでなく,T_c(d_f)曲線の極小値を深くし,また関数T_c(d_f)の形をかなり変えた。磁場の増大によりリエントラント超伝導が生じることがあれば,それはF/S/F三層におけるスピンバルブ状態に影響を与えよう。F/S/F三層のF層の磁化の反平行(AP)および平行(P)配置における臨界温度の違いはF層の準粒子運動の性質に依存した。この違いは磁場の増大とともに大きくなるであろう。なぜなら,P配置の超伝導性は抑制されるのに対してAP配置のT_cはゼロにはならないからである。また外部磁場で誘起される遮蔽電流がS/F境界を通してF層に侵入することが分かった。遮蔽電流は境界界面からF層への距離とともに急激に減衰し,振動する。

シソーラス用語： *強磁性体 ,  *超伝導体 ,  *多層膜 ,  *臨界温度 ,  *電流分布 ,  *磁場効果 ,  金属 ,  界面 ,  伝導電子 ,  磁場 ,  軌道 ,  超伝導 ,  極小値 ,  リエントラント転移 ,  素子構造 ,  準粒子 ,  境界 ,  転移温度 ,  相転移 ,  磁化
準シソーラス用語： スピンバルブ ,  厚み依存性 ,  *三層構造 ,  遮蔽電流 ,  浸透度 ,  超伝導性 ,  超伝導転移 ,  *二層構造

分類 (1件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性体 ,  臨界温度 ,  不均一 ,  電流分布