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J-GLOBAL ID：201002212681852514   整理番号：10A0290145

単一ピコ秒レーザパルス照射時におけるAgInSbTe相変化薄膜の光学的電気的性質

Optical-electrical properties of AgInSbTe phase change thin films under single picosecond laser pulse irradiation

著者 (7件)： ZHAI Fengxiao (Key Lab. of High Power Lasers Material, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  ZUO Fangyuan (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN) ,  HUANG Huan (Key Lab. of High Power Lasers Material, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  WANG Yang (Key Lab. of High Power Lasers Material, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  LAI Tianshu (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN) ,  WU Yiqun (Key Lab. of High Power Lasers Material, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  GAN Fuxi (Key Lab. of High Power Lasers Material, Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 356  号： 18-19  ページ： 889-892  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 堆積直後のAgInSbTe膜で,適当な線量のピコ秒単ショットレーザパルス照射により相転移を実現した。ミクロ域X線回折測定から,さらなる構造相転移を確認した。非晶質とピコ秒レーザ結晶化した領域の電流-電圧曲線を導電性原子間力顕微鏡で測定した。高いデータ転送率と高い読出しSN比のために,超高速レーザパルス記録と電気読出し法は,相変化データ蓄積用に極めて有望である。得られた結果は,超高速光学-電気混成相変化データ蓄積の実現に有用である。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 銀化合物 ,  インジウム化合物 ,  *アンチモン化物 ,  *テルル化物 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  レーザ照射 ,  構造相転移 ,  X線回折分析 ,  電流電圧特性 ,  原子間力顕微鏡 ,  材料 ,  *非晶質半導体 ,  *結晶化
準シソーラス用語： *相変化材料

分類 (1件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ピコ秒レーザ ,  パルス照射 ,  相変化 ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的性質