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J-GLOBAL ID：201002212905653199   整理番号：10A0370251

アジア若手の研究から AlGaAsバッファ層を有するGaAs(001)基板上に成長させた立方晶GaNの構造相転移のTEMによる研究

著者 (4件)： PARINYATARAMAS Jamreonta (Chulalongkorn Univ.) ,  SANORPIM Sakuntam (Chulalongkorn Univ.) ,  THANACHAYANONT Chanchana (National Metal and Materials Technol. Center) ,  ONABE Kentaro (Univ. Tokyo)
資料名： 顕微鏡  (Microscopy)
巻： 45  号： 1  ページ： 13-17  発行年： 2010年03月30日 
JST資料番号： Y0541A  ISSN： 1349-0958  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長法を用いて,GaAs(001)基板上にGaN膜を成長させた。二段階成長法を採用し,低温(600°C)での初期成長のあと,高温(960°C)での成長をおこなった。GaAs(001)基板上のAlGaAsバッファ層の効果も調べた。評価には,走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡,Raman分光および光ルミネセンスを用いた。バッファ層は,高温成長においてGaAs基板の熱分解を防ぐ保護層として働くことがわかった。これによりボイドが生成することなくGaNを成長させることができた。他方,バッファ層により,立方晶から立方/六方晶混晶への相転移の生じることが見出された。立方晶GaN層内でのエピタキシャル方位関係を透過型電子顕微鏡により解析した。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *窒化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *バッファ層 ,  立方晶系 ,  *構造相転移 ,  走査電子顕微鏡 ,  *透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  光ルミネセンス ,  紫外可視発光スペクトル ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  空孔欠陥

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (22件)：

• 1)Hsu, Y.J., Hong, L.S., Jiang, J.C. and Chang, J.C.: J. Cryst. Growth, 266, 347-353 (2004)
• 2)Hong, C.H., Pavlidis, D., Brown, S.W. and Rand, S.C.: J. Appl. Phys., 77, 1705-1709 (1995)
• 3)Grzegorczyk, A.P., Weyher, J.L., Hageman, P.R. and Larsen, P.K.: J. Cryst. Growth, 283, 72-80 (2005)
• 4)Matsuo, K., Negoro, N., Kotani, J., Hashizume, T. and Hasegawa, H.: Applied Surface Science, 244, 273-276 (2005)
• 5)Kim, J., Gila, B.P., Chung, G.Y., Abernathy, C.R., Pearton, J. and Ren, F.: Solid-State Electronics, 47, 1069-1073 (2003)

タイトルに関連する用語 (10件)： アジア ,  研究 ,  AlGaAs ,  バッファ層 ,  GaAs ,  成長 ,  立方晶 ,  GaN ,  構造相転移 ,  TEM