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J-GLOBAL ID:201002213108440208   整理番号:10A1128750

銅触媒を用いての均一大領域グラフェンの化学蒸着合成における速度論因子の役割

Role of Kinetic Factors in Chemical Vapor Deposition Synthesis of Uniform Large Area Graphene Using Copper Catalyst
著者 (4件):
資料名:
巻: 10  号: 10  ページ: 4128-4133  発行年: 2010年10月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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メタンガス組成領域でのAPCVD条件の下でCu触媒を用いてグラフェン合成を行い,その成長は低メタン濃度(PPM)の単分子グラフェンから高メタン濃度(5-10%)での単分子層上の多層ドメインへと変化することが示される。それらの結果は,高メタン濃度でのAPCVD条件下でのCu触媒によるグラフェン成長はLPCVDの場合に認められるような自己制限的ではなく,詳細な成長機構の決定にはさらなる研究を要す。APCVDとLPCVD条件下での低いカーボン固体溶解性触媒を用いてのグラフェン合成の速度論的過程の役割を考察した。
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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無機化合物一般及び元素  ,  炭素とその化合物  ,  不均一系触媒反応 

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