文献

J-GLOBAL ID：201002213397134934   整理番号：10A1529903

ケイ素の低温非平衡ナノ表面改質としてのフォトン誘起フォノン励起プロセス

Photon-induced phonon excitation process as low-temperature nonequillibrium nano-surface modification of silicon

著者 (2件)： SETSUHARA Yuichi ,  HASHIDA Masaki
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 205  号： 7  ページ： 1826-1829  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の低温ナノ表面改質としてのフォトン誘起フォノン励起プロセスに基づいた,注入した半導体ドーパントの非熱的アニーリングを実現する新しい方法を提案した。本アプローチはドーパントの再結晶化と活性化に必要なエネルギーが室温で極短いパルスレーザ照射で誘起される非平衡な断熱プロセスでドーパント層に供給されるとする概念に基づく。本研究ではパルス時間が100fsの極短いパルスレーザビームを用い,反射率のポンププローブ測定でフォノン励起特性を調べ,イオン注入したシリコン基板の室温再結晶化と活性化を実証した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ドーパント ,  *ホウ素 ,  イオン注入 ,  *半導体プロセス ,  *表面改質 ,  *ナノ構造 ,  再結晶 ,  *光ポンピング ,  室温 ,  パルスレーザ照射 ,  断熱過程 ,  超短パルスレーザ
準シソーラス用語： 時間分解法 ,  浅い接合 ,  低温プロセス ,  反射率測定 ,  非平衡プロセス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ケイ素 ,  低温 ,  非平衡 ,  表面改質 ,  フォトン ,  誘起 ,  フォノン励起 ,  プロセス