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J-GLOBAL ID：201002213619754324   整理番号：10A0915946

Si終端SiC(0001)微傾斜面上に成長した単層グラフェンのπバンドの形,幅およびレプリカ

Shape, width, and replicas of π bands of single-layer graphene grown on Si-terminated vicinal SiC(0001)

著者 (6件)： NAKATSUJI Kan (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SHIBATA Yuki (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  NIIKURA Ryota (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KOMORI Fumio (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  MORITA Kouhei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TANAKA Satoru (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 4  ページ： 045428.1-045428.5  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *グラファイト ,  *π軌道 ,  レプリカ ,  表面散乱 ,  界面 ,  表面ステップ ,  化合物半導体 ,  *微斜面 ,  単分子層 ,  表面 ,  *電子構造 ,  *グラフェン ,  ARPES
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光法 ,  終端 ,  超構造

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  終端 ,  SiC ,  微傾斜面 ,  成長 ,  単層グラフェン ,  バンド ,  形 ,  レプリカ