文献

J-GLOBAL ID：201002214244217098   整理番号：10A0299266

グラフェンナノメッシュ

Graphene nanomesh

著者 (5件)： BAI Jingwei (Univ. California, California, USA) ,  ZHONG Xing (Univ. California, California, USA) ,  JIANG Shan (Univ. California, California, USA) ,  HUANG Yu (Univ. California, California, USA) ,  DUAN Xiangfeng (Univ. California, California, USA)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 5  号： 3  ページ： 190-194  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンがゼロギャップ半金属であるため,エレクトロニクスへの応用が困難であるという問題を解決するために,高密度のナノホールアレイを形成した単一又は数層からなるグラフェンナノメッシュを提案した。ナノメッシュはブロック共重合体リソグラフィーによって作製し,周期性とネック幅は本来的にスケーラブルであり,5nmまで可能である。グラフェンナノメッシュ電界効果トランジスタを作製し,グラフェンリボンに比べて100倍高い電流を得ることができた。オンオフ比は同程度であった。このグラフェンナノメッシュは汎用半導体プロセスを適用でき,高度に相互接続したグラフェンネットワークの輸送特性の研究に有用である。高感度バイオセンサやスピントロニクスへの応用も期待される。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ナノ構造 ,  細孔構造 ,  リソグラフィー ,  周期構造 ,  パターン形成 ,  半導体プロセス ,  *FET【トランジスタ】 ,  相互接続 ,  バイオセンサ ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *グラフェンナノメッシュ ,  ナノホールアレイ ,  *ブロック共重合体リソグラフィー

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)