文献

J-GLOBAL ID：201002214491085943   整理番号：10A1539285

高静電容量ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン)/ポリ(メタクリル酸メチル)誘電体による低電圧動作型トップゲート高分子薄膜トランジスタ

Low-voltage-operated top-gate polymer thin-film transistors with high capacitance poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)/poly(methyl methacrylate) dielectrics

著者 (7件)： JUNG Soon-won (Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...) ,  BAEG Kang-jun (Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...) ,  YOON Sung-min (Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...) ,  YOU In-kyu (Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...) ,  LEE Jong-keun (Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...) ,  KIM Young-soon (Dep. of Chemistry, Dongguk Univ., 26, Pil-dong, 3 ga, jung-gu, Seoul 100-715, KOR) ,  NOH Yong-young (Dep. of Chemical Engineering, Hanbat National Univ., 16-1, Dukmyung-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-719, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 102810  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン)[P(VDF-TrFE)]/ポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)混合膜をゲート誘電体層に持つ低電圧動作型高分子トランジスタを報告する。トップゲート高分子トランジスタは活性層としてのポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-co-ビチオフェン)(F8T2)上に全溶液工程により作製した。誘電層としてP(VDF-TrFE)/PMMA混合膜を用い,複合体の比を最適化して,動作速度と電荷キャリア移動度を改善した。F8T2トランジスタは1×10^-2cm²/Vsの高い電界効果移動度と<10Vの低い動作ゲート電圧を有する。P(VDF-TrFE)]/(PMMA)混合膜の高い誘電率(10.4~8.4)故に,動作電圧が効果的に低下した。少量の非晶質PMMA(5wt%)を添加すると,強誘電性高分子により誘起したヒステリシスが効果的に消滅した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ポリメタクリル酸メチル ,  酸化膜 ,  *有機半導体 ,  誘電率 ,  *強誘電体 ,  強誘電性 ,  フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： VDF-TrFE ,  ゲート誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 静電容量 ,  フッ化ビニリデン ,  トリフルオロエチレン ,  メタクリル酸メチル ,  誘電体 ,  低電圧 ,  トップゲート ,  高分子薄膜 ,  トランジスタ