文献
J-GLOBAL ID:201002214691775618   整理番号:10A0669303

錫の同素変態を利用した電子実装部のアクティブディスアッセンブリの検討

著者 (1件):
資料名:
巻: 58  号:ページ: 103-107  発行年: 2010年07月01日 
JST資料番号: G0237A  ISSN: 0387-0197  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
β-Sn(白スズ)からα-Sn(灰スズ)への同素変態を利用した電子実装部の分離の可能性を検討した。3N,4N,5N,6Nの純スズとSn-0.01mass%Ge合金を用い環境と不純物元素が同素変態開始時間に及ぼす効果を調べた。環境としとしては,大気,イソプロパノール,メタノール,エチルアルコールを用い243Kに保持した。イソプロパノールが最も開始時間が短かった。また4Nの開始時間が20時間であるのに対し,Geを添加した合金では3時間に短縮された。不純物元素の効果を考察し,3216チップ抵抗実装部の分離実験を行った。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  金属相変態 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る