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J-GLOBAL ID：201002214737313380   整理番号：10A0145738

水素化したSi(111)表面上への銅電着: チオ尿素の影響

Copper electrodeposition onto hydrogenated Si(111) surfaces: Influence of thiourea

著者 (3件)： QUIROGA ARGANARAZ Ma. Bernarda (INFIQC, Departamento de Fisicoquimica, Facultad de Ciencias Quimicas, Universidad Nacional de Cordoba, Haya de la ...) ,  VAZQUEZ Cecilia I. (INFIQC, Departamento de Fisicoquimica, Facultad de Ciencias Quimicas, Universidad Nacional de Cordoba, Haya de la ...) ,  LACCONI Gabriela I. (INFIQC, Departamento de Fisicoquimica, Facultad de Ciencias Quimicas, Universidad Nacional de Cordoba, Haya de la ...)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 639  号： 1-2  ページ： 95-101  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫酸電解質から水素末端化n-Si(111)表面上への銅電着の初期段階の速度論を,サイクリックボルタンメトリと定電位過渡状態を用いて得た。いろいろなチオ尿素濃度のCu²⁺イオンのない溶液中でいろいろな電位でのキャパシタンス測定を用いて,n-Si(111)基板のフラットバンド電位を決定した。存在する理論によるj/t過渡状態の解析は,銅の析出は三次元核生成により起こり,続いて核の拡散律速成長が起こる。チオ尿素(TU)の存在は,銅の電気結晶化を抑制する。水素化基板上の添加物の吸着はSi(111)-H表面のフラットバンド電位で観測される変化により証明した。TUを含む溶液からの銅電着速度論は,拡散律速結晶成長の連続的な核生成に対応する。いろいろな過電位での電流過渡状態の解析から,添加物のないそしてTUを含む溶液に対する銅電着の核生成速度を決定した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *水素化 ,  *銅 ,  *電着 ,  静電容量 ,  拡散律速 ,  結晶成長 ,  過渡現象 ,  核形成 ,  速度 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  硫酸 ,  *ウエハ【IC】 ,  ウレア化合物 ,  有機硫黄化合物
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  核形成速度

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (1件)： チオ尿素

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化 ,  Si ,  銅 ,  電着 ,  チオ尿素