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J-GLOBAL ID：201002214800334902   整理番号：10A0686571

X線吸収分光により研究したGeドープHfO₂薄膜

Ge doped HfO₂ thin films investigated by x-ray absorption spectroscopy

著者 (5件)： MIOTTI Leonardo (Dep. of Physics, North Carolina State Univ., Box 8202, Raleigh, North Carolina 27695-8202) ,  BASTOS Karen P. (Dep. of Physics, North Carolina State Univ., Box 8202, Raleigh, North Carolina 27695-8202) ,  LUCOVSKY Gerald (Dep. of Physics, North Carolina State Univ., Box 8202, Raleigh, North Carolina 27695-8202) ,  RADTKE Claudio (Instituto de Quimica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, 91509-900 Porto Alegre, BRA) ,  NORDLUND Dennis (Stanford Synchrotron Radiation Lightsource, Menlo Park, California 94025)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 28  号： 4  ページ： 693  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)上のGeドープHfO₂薄膜の正方晶相の安定性を研究した。0%から15%まで変わるGe原子濃度をもつHf(Ge)O₂膜を,遠隔プラズマ化学蒸着により堆積した。急速熱アニーリング後の酸化物上の原子構造をO及びGe K端のX線吸収分光及び後方散乱分光により研究した。5at.%程の低いGe濃度がSi上の5nm厚Hf(Ge)O₂の正方晶相を効果的に安定化すること,及びより高い濃度は750°C以上の温度での急速熱アニーリングに対して安定ではないことを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  *ドーピング ,  ウエハ【IC】 ,  正方晶系 ,  *プラズマCVD ,  RTA【熱処理】 ,  後方散乱 ,  安定性 ,  *X線吸収スペクトル ,  薄膜成長
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  高k誘電体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線吸収 ,  分光 ,  研究 ,  Ge ,  ドープ ,  HfO2 ,  薄膜