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J-GLOBAL ID：201002214920457358   整理番号：10A0685446

エッチしたSi/SiGe一次元ナノ構造におけるコンダクタンスと谷分裂

Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures

著者 (7件)： FRUCCI G. (Universita Roma TRE, Roma, ITA) ,  DI GASPARE L. (Universita Roma TRE, Roma, ITA) ,  EVANGELISTI F. (Universita Roma TRE, Roma, ITA) ,  GIOVINE E. (Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, CNR, Roma, ITA) ,  NOTARGIACOMO A. (Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, CNR, Roma, ITA) ,  PIAZZA V. (Scuola Normale Superiore, Pisa, ITA) ,  BELTRAM F. (Scuola Normale Superiore, Pisa, ITA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 19  ページ： 195311.1-195311.6  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  固溶体 ,  *くびれ ,  *点接触 ,  二次元電子ガス ,  *コンダクタンス ,  電圧依存性 ,  量子化 ,  外部磁場 ,  ナノ構造 ,  一次元 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *量子点接触

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： エッチ ,  Si ,  SiGe ,  ナノ構造 ,  コンダクタンス ,  谷