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J-GLOBAL ID：201002214965132573   整理番号：10A0845892

NAND動作での単層および二層白金ナノ結晶フラッシュメモリの性能と信頼性研究

Performance and Reliability Study of Single-Layer and Dual-Layer Platinum Nanocrystal Flash Memory Devices Under NAND Operation

著者 (7件)： SINGH Pawan K. (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND) ,  BISHT Gaurav (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND) ,  AULUCK Kshitij (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND) ,  SIVATHEJA M. (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND) ,  HOFMANN Ralf (Applied Materials, CA, USA) ,  SINGH Kaushal K. (Applied Materials, CA, USA) ,  MAHAPATRA Souvik (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 8  ページ： 1829-1837  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュのフローティングゲート(FG)がスケーリングへの対応が難しくなり,メタルナノ結晶(NC)やシリコン窒化膜の電荷捕獲フラッシュ(CTF)がFGフラッシュの代替に考えられている。プログラム/消去(P/E)前後で単層(SL)および二層(DL)白金ナノ結晶デバイスのメモリウィンドウ(MW)と保持特性を調べた。DLデバイスはメモリウィンドウ,全蓄積電荷,耐久信頼性の面でSLデバイスよりも優れている。DLデバイスの中間膜(ILF)が厚いと保持信頼性と電荷蓄積が良くなるが,P/Eにはより高い電圧が必要になる。制御絶縁膜(CD)を経由するPoole-Frenkel伝導は,SLとDLの保持時電荷リークの原因である。CD膜質の改良は保持信頼性改善に必要である。結論として,CMOSプロセスで製作したDLメタルNCデバイスはマルチレベルセル(MLC)動作が可能で,サブ30nmノードでFGの代替になり得る。

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  ナノ結晶 ,  信頼性 ,  *保持時間 ,  単一層 ,  白金 ,  半導体プロセス ,  電荷 ,  捕獲 ,  フローティングゲート
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  *メモリウィンドウ【半導体】 ,  リテンションタイム ,  単層 ,  電荷捕獲 ,  NANDフラッシュ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： NAND ,  単層 ,  二層 ,  白 ,  金ナノ結晶 ,  フラッシュメモリ ,  研究