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J-GLOBAL ID：201002215042506434   整理番号：10A0387501

超スケーリングされたSiGe/Si コア/シェル電子と正孔のナノワイヤMOSFETsの性能予測

Performance Prediction of Ultrascaled SiGe/Si Core/Shell Electron and Hole Nanowire MOSFETs

著者 (4件)： PAUL Abhijeet (Purdue Univ., IN, USA) ,  MEHROTRA Saumitra (Purdue Univ., IN, USA) ,  LUISIER Mathieu (Purdue Univ., IN, USA) ,  KLIMECK Gerhard (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 278-280  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体プロセス技術の改良により,高Ge濃度の超スケーリングされたSiGeチャネルナノワイヤFET(NWFETs)を製作することが可能になった。本稿では,歪SiGeと歪緩和SiGe NWFETsに対して,タイトバインディング(TB)電子構造計算法を適用し,超スケーリングされたSiGe/Si コア/シェル電子と正孔の9nm NWFETsの性能予測を行った。その結果,高Ge濃度NWFETsはSi FETsに比べて,I_ONがnFETsで~1.3倍,pFETsで~1.37倍,また,ゲート遅延が共に~1.2倍になると予測された。

シソーラス用語： スケーリング【計数】 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *ナノワイヤ ,  MOSFET ,  *格子歪 ,  *強束縛近似 ,  ゲート回路 ,  遅延特性 ,  *超LSI
準シソーラス用語： *SiGe ,  ゲート遅延 ,  タイトバインディング近似 ,  歪シリコン

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： スケーリング ,  SiGe ,  Si ,  コア ,  シェル ,  電子 ,  正孔 ,  ナノワイヤ ,  性能予測