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J-GLOBAL ID：201002215202425185   整理番号：10A1126396

システム-オン-チップ集積化用120V 180nm高電圧CMOSスマートパワー技術

A 120V 180nm High Voltage CMOS smart power technology for System-on-chip integration

著者 (19件)： MINIXHOFER R. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  FEILCHENFELD N. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  KNAIPP M. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  ROEHRER G. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  PARK J.M. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  ZIERAK M. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  ENICHLMAIR H. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  LEVY M. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  LOEFFLER B. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  HERSHBERGER D. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  UNTERLEITNER F. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  GAUTSCH M. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  CHATTY K. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  SHI Y. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  POSCH W. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  SEEBACHER E. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  SCHREMS M. (R&D Dep. austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  DUNN J. (IBM Microelectronics Div., Vermont) ,  HARAME D. (IBM Microelectronics Div., Vermont)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd  ページ： 61-64  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力管理とセンサードライバー集積回路は,高破壊電圧(BV_dss)と低オン比抵抗(R_sp)の技術および優れたシステム-オン-チップ(SoC)集積化可能な低プロセス複雑性を必要とする。基本デジタルライブラリーおよび広範囲の高電圧(HV)素子との完全な適合性をもつ,低プロセス複雑性の新180nm HVCMOS技術について述べた。このHVCMOS技術は,今まで報告された最高の160V BV_dssの横形拡散型MOS(LDMOS)素子と30~160VのBV_dssをもつLDMOS素子群の一部として34VのBV_dssで14.4mΩ・mm²の最小R_spを有するN-LDMOSを得た。この技術により,最高120Vの動作電圧水準の全組合せによる新型の高集積化混合信号RFとHV SoC製品を可能にした。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *ICパッケージ ,  *高電圧 ,  電力技術 ,  *電力管理 ,  絶縁破壊 ,  オン抵抗 ,  *センサ ,  *駆動回路 ,  超LSI ,  半導体チップ ,  MOSFET ,  ホットキャリア ,  キャリア注入
準シソーラス用語： SOP【高密度化】 ,  スマートパワー技術 ,  SOC ,  LDMOS

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積化 ,  高電圧 ,  CMOS ,  スマートパワー技術