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J-GLOBAL ID：201002215294064205   整理番号：10A0229793

スケール化Geチャネル金属酸化物半導体型素子のための二層金属酸化物ゲート絶縁体

Bilayer metal oxide gate insulators for scaled Ge-channel metal-oxide-semiconductor devices

著者 (4件)： SWAMINATHAN Shankar (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  SHANDALOV Michael (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  OSHIMA Yasuhiro (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  MCINTYRE Paul C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 8  ページ： 082904  発行年： 2010年02月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質原子層蒸着(ALD)-Al₂O₃中間層(IL)と高kのALD-TiO₂ゲート誘電体を有する,ゲルマニウムチャネル金属酸化物半導体キャパシタの電気的特性を調べている。厚さ~1nmの(ALD)-Al₂O₃ IL ゲート漏れ電流密度は,他の場合では低バンドオフセットのTiO₂/Ge界面において,フラットバンドでの大きさの6桁減少した。最も薄いAl₂O₃ ILで,素子は,1.2nmの低容量換算厚を示した。容量-電圧曲線のヒステリシスは,異なるAl₂O₃厚さを持つTiO₂/Al₂O₃/Geキャパシタに対して,<10mVであった。界面状態の比較的小さい最小密度,D_it~3×10¹¹cm^-2 eV^-1を得た。これは,高k/Ge界面の不動態化に関し,Al₂O₃ ILの可能性を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スケーリング【計数】 ,  化学蒸着 ,  非晶質 ,  層 ,  *コンデンサ ,  酸化アルミニウム ,  誘電体 ,  多層 ,  酸化物 ,  漏れ電流 ,  バンドオフセット ,  *容量電圧特性 ,  *ゲルマニウム ,  チャネル ,  *酸化チタン ,  半導体 ,  *MOS構造 ,  ヒステリシス ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 原子層蒸着 ,  中間層 ,  金属酸化膜 ,  二層

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (7件)： スケール ,  Ge ,  チャネル ,  金属酸化物半導体 ,  二層 ,  金属酸化物 ,  ゲート絶縁体