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J-GLOBAL ID：201002215435699650   整理番号：10A1006246

二重ペロブスカイトBa₂YNbO₆ナノロッドによるYBa₂Cu₃O₇の磁束ピン止めの改善

Improved flux pinning in YBa₂Cu₃O₇ with nanorods of the double perovskite Ba₂YNbO₆

著者 (6件)： FELDMANN D M (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  HOLESINGER T G (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  MAIOROV B (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  FOLTYN S R (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  COULTER J Y (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  APODACA I (Los Alamos National Lab., NM, USA)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 23  号： 9  ページ： 095004,1-6  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： YBa₂Cu₃O₇(YBCO)膜の印加磁場下の臨界電流密度(J_c)と磁束ピン止め力(F_p)がBa₂YNbO₆(BYNO)ナノロッドの埋め込みによりかなり改善されることについて報告した。膜は5モル%のBaNbO_yとY₂O₃を添加したYBa₂Cu₃O_yターゲット成分を用い,パルスレーザ蒸着により作製した。堆積膜は高密度のBYNOナノロッドを含み,それらの多くは蒸着条件に依存するが膜の厚み全体に伸びていた。J_c特性の向上は,印加磁場が主にBYNOナノロッドの成長方向であるYBCOのc-軸方向に近い場合に生じた。透過電子顕微鏡の平面像から一つの膜のナノロッド密度を測定したところ,710-850ナノロッドμm^-2であった。得られたJ_c(75.6K,H∥c=1T)は1μmおよび0.5μm厚みの膜では,それぞれ1.4MAcm^-2および2MAcm^-2を越える値であった。0.5μmの膜のF_p値は75.5Kおよび65Kにおいて,それぞれ30GNm^-3および120GNm^-3を越えた。

シソーラス用語： *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  *磁束ピン止め ,  *バリウム化合物 ,  *イットリウム化合物 ,  *ニオブ化合物 ,  *酸化物 ,  *ナノロッド ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  臨界電流密度 ,  埋込み【挿入】 ,  超伝導薄膜 ,  レーザ蒸着 ,  外部磁場 ,  透過型電子顕微鏡 ,  薄膜成長 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *YBCO

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二重ペロブスカイト ,  ナノロッド ,  磁束ピン止め