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J-GLOBAL ID:201002215608752560   整理番号:10A0949021

シリコン基板洗浄の解析~高効率太陽電池製造法の開発~

著者 (3件):
資料名:
巻: 2008  ページ: 16-20 (WEB ONLY)  発行年: 2009年06月11日 
JST資料番号: U0161A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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テクスチャリング前洗浄のメカニズムの解明のために,テクスチャの表面分析と使用済み洗浄液の成分分析を試みた。テクスチャ形成のメカニズムを調べるため,SEM-EDSによるテクスチャのマッピングを検討したが,有意のパターンは見られなかった。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (5件):
  • 一例として, 江刺正喜ら,「マイクロマシーニングとマイクロメカトロニクス」培風館 (1992)
  • 式田光宏,「MEMS によるウェットエッチング技術」,「ウェットエッチングの不良要因とその対策」セミナー・テキスト, 技術情報協会 (2008)
  • 江田善昭,「TMAH によるシリコンのウェットエッチング--化学の目で見たウェットエッチング--」,「ウェットエッチングの不良要因とその対策」セミナー・テキスト, 技術情報協会 (2008)
  • 江田善昭, K Min,「TMAH によるSi のウェットエッチング」 http://www.oita-ri.go.jp/report/2004/2004_6.pdf
  • 江田善昭,「TMAH によるシリコンのウェットエッチング--化学の目で見たウェットエッチング--」,「エッチング技術」, 印刷中, 技術情報協会,(2009)

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