文献

J-GLOBAL ID：201002215745506150   整理番号：10A1153240

強誘電体電界効果トランジスタ用のNd₂Ti₂O₇とBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂の多層膜の電気的性質および強誘電特性

Electric and ferroelectric properties of a multilayer film of Nd₂Ti₂O₇ and Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂ for use as a ferroelectric field effect transistor

著者 (4件)： LEE Hong-sub (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ.) ,  CHOI Hye-jung (R & D Div., Hynix Semiconductor Inc.) ,  CHUNG Sung-woong (R & D Div., Hynix Semiconductor Inc.) ,  PARK Hyung-ho (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 118  号： 1383  ページ： 1017-1020 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 1882-0743  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電材料は強誘電体電界効果トランジスタメモリ(FeFET)などの用途に注目されている。この用途では,漏れ電流による保持時間の低減は非常に重要である。強誘電材料は強誘電膜の多層化により改良できる。本研究では,Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂(BLT)とNd₂Ti₂O₇(NT)の強力な候補強誘電材料を用いた多層強誘電薄膜について研究した。作製した強誘電材料には二次相や化学量論からの乖離もなく,安定した界面を有していた。BLT,NT,およびBLT/NT多層強誘電膜を特性評価するためX線回折,X線光電子分光,電流-電圧,分極-電圧などの種々の分析や測定を実施した。多層強誘電膜の強誘電特性は高度な絶縁強誘電膜を用いることにより改良できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  強誘電体 ,  強誘電性 ,  *チタン酸塩 ,  ネオジム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  ランタン化合物 ,  多層膜 ,  *電気的性質 ,  界面 ,  表面構造 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  漏れ電流 ,  保持時間 ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： 強誘電体電界効果トランジスタ ,  FeFET ,  チタン酸ビスマスランタン ,  界面組織

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• 1) J. F. Scott and A. A. Carlos, Science, 246, 1400–1405 (1989).
• 2) C. A. Araijjo, J. D. Cuchiaro, L. D. Mcmillan, M. C. Mcmillan, M. C. Scott and J. F. Scott, Nature, 374, 627–629 (1995).
• 3) D. Bao, N. Wakiya, K. Shinozaki and N. Mizutani, Ferroelectrics, 270, 27–32 (2002).
• 4) H. H. Park, H. S. Lee, H. H. Park, R. H. Hill and Y. T. Hwang, Appl. Surf. Sci., 255, 4197–4200 (2009).
• 5) J. F. Dorrian, R. E. Newnham, D. K. Smith and M. I. Kay, Ferroelectrics, 3, 17–27 (1971).

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体電界効果トランジスタ ,  BI3 ,  多層膜 ,  電気的性質 ,  強誘電特性