文献

J-GLOBAL ID：201002215880097635   整理番号：10A1620370

低オン抵抗をもつ高電流密度高電圧ノーマリーオフAlGaN/GaNハイブリッドゲートHEMT

High-current-density high-voltage normally-off AlGaN/GaN hybrid-gate HEMT with low on-resistance

著者 (3件)： CHEN W. (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Sichuan, CHN) ,  ZHOU C. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  CHEN K. J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 24  ページ： 1626-1627  発行年： 2010年11月25日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低オン抵抗をもつ高電流密度高電圧ノーマリーオフAlGaN/GaNハイブリッドゲート高電子移動度トランジスタ(HEMT)構造を実証した。この素子は,短Eモードゲート及び長Dモードゲートからなるハイブリッドゲートを特徴とした。オフ状態において,短Eモードゲートはノーマリーオフ動作を確認し,他方,Dモードゲートは,低ドレイン電圧においてチャネル電位を固定することができた。5μmの同一ドリフト長の作製素子に関して,提案した素子は,62%低いオン抵抗を示し,ブロッキング能力における劣化を示さなかった。

シソーラス用語： *電流密度 ,  *オン抵抗 ,  高電圧 ,  *HEMT ,  *回路特性 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： ノーマリーオフ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： オン抵抗 ,  高電流密度 ,  高電圧 ,  ノーマリーオフ ,  AlGaN ,  GaN ,  ゲート ,  HEMT