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J-GLOBAL ID：201002216005231855   整理番号：10A0294676

ナノホイスカの成長に関するモンテカルロシミュレーション

Monte Carlo Simulation of Growth of Nanowhiskers

著者 (4件)： NASTOVJAK A.G. (Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  NEIZVESTNY I.G. (Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  SHWARTZ I.L. (Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  YANOVITSKAYA Z.Sh. (Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 1  ページ： 127-132  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Auによって活性化されたSi(111)表面上におけるSi-ナノホイスカ(NW)の成長過程を,モンテカルロシミュレーションによって研究した結果を報告する。シミュレーションによって得られた系には,NWの成長,NWの側壁におけるファセット形成,結晶表面におけるAuの液滴の挙動,および分岐などの実験的に観測される多くの効果が含まれている。また,NWの成長速度の温度依存性や液滴の大きさに対する依存性に関するシミュレーション結果は,実験結果と定性的に一致することが分かった。更に,NWの分岐は表面張力が小さい効果に起因することが分かった。NW材料と触媒材料の間の濡れの条件によっては,中空のNWが形成されることが分かった。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *ホイスカ ,  ナノ結晶 ,  *結晶成長 ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション ,  金 ,  触媒 ,  ファセット ,  液滴 ,  晶析速度 ,  枝分れ ,  界面張力 ,  濡れ ,  中空体
準シソーラス用語： *ナノホイスカ ,  表面張力

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノホイスカ ,  成長 ,  モンテカルロシミュレーション