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J-GLOBAL ID：201002216082602220   整理番号：10A0230000

ニッケルケイ化過程におけるドーパント偏析による急峻で低いSchottky障壁接触の形成

Formation of steep, low Schottky-barrier contacts by dopant segregation during nickel silicidation

著者 (6件)： FESTE S. F. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN1) and JARA-FIT Fundamentals of Future Information Technol., Forschungszentrum ...) ,  KNOCH J. (Micro- and Nanoelectronics Devices Group, TU Dortmund Univ., 44227 Dortmund, DEU) ,  BUCA D. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN1) and JARA-FIT Fundamentals of Future Information Technol., Forschungszentrum ...) ,  ZHAO Q. T. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN1) and JARA-FIT Fundamentals of Future Information Technol., Forschungszentrum ...) ,  BREUER U. (Central Div. of Analytical Chemistry (ZHC), Forschungszentrum Juelich, 52454 Juelich, DEU) ,  MANTL S. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN1) and JARA-FIT Fundamentals of Future Information Technol., Forschungszentrum ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 4  ページ： 044510  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニッケルケイ化物形成過程におけるヒ素ドーパント偏析を系統的に解析した。NiSi/Si界面のヒ素ドーパントプロファイルの勾配と濃度を,注入エネルギー,注入線量とNiSi厚の関数として調べた。劣化が起る前では,NiSi厚が注入直後のピーク深度の3倍になるまで,ケイ化誘起ドーパント偏析が,ケイ化物/ケイ素界面のドーパント勾配に影響しないことが分かった。低注入エネルギーと薄いNiSi層の場合について,最適勾配と最高ドーパント濃度を求めた。さらに,NiSi/Si界面のドーパントプロファイルの急峻性が,NiSi形成時の2ステップアニーリング工程を通じて大きく改善できることも明らかになった。As,1kV,1×10¹⁵cm^-2と17nmNiSi層の場合,ドーパント勾配3.2nm/1桁が得られた。最適アニーリング過程で形成した20nm厚NiSiをもつSchottkyダイオードの低温測定から,障壁高0.12eVをもつ有効なSchottky障壁の存在を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 珪化作用 ,  *Schottky障壁 ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  ケイ素 ,  ドーパント ,  偏析 ,  不純物分布 ,  熱処理 ,  *Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： ケイ化 ,  *ケイ化ニッケル

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ニッケル ,  ケイ化 ,  過程 ,  ドーパント偏析 ,  Schottky障壁