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J-GLOBAL ID：201002216107462576   整理番号：10A1124808

非対称量子井戸テラヘルツ波放射体用の三準位系におけるサブバンド間吸収エネルギーシフト

Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters

著者 (12件)： SONG Yafeng (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  LU Yanwu (Dep. of Physics, Beijing Jiaotong Univ., Beijing 100044, People’s Republic of China) ,  ZHANG Biao (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  XU Xiaoqing (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Jun (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  GUO Yan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  SHI Kai (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  LI Zhiwei (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  LIU Xianglin (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  YANG Shaoyan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  ZHU Qinsheng (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Zhanguo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 8  ページ： 083112  発行年： 2010年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 偏光解消及び励起子様効果に起因する三準位系におけるサブバンド間吸収エネルギーシフトを調べた。導いた表現は通常の二準位の結果と裸ポテンシャル遷移エネルギーの結果を解析的に良く説明する。数値結果はそれらが,特に高キャリア密度(>8×10¹¹cm^-2)に対して,三準位系の偏光解消及び励起子様シフト(DES)特性をこれ迄の研究よりも厳密に記述することを示した。興味深い知見として,低ドーピング(<1.9×10¹¹cm^-2)の極限では「大きな青色」DESが「僅かに赤方偏移」した。階段井戸構造のDESの温度特性も数値的に調べた。最後に,以上を適用して非対称階段量子井戸構造を計算した。テラヘルツ(THz)放射体の二つの主な機能的側面を論じ,幾つかの基礎的最適化条件を考察した。量子井戸の幾何パラメータと材料組成を系統的に調整して,六条件の全てを満たす幾つかの最適構造を表の形で推奨した。これらの最適化は三準位に基づく光ポンピングTHz放射体の設計の有用な基準になり得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  電磁波 ,  三準位系 ,  エネルギー ,  *電子遷移 ,  遷移エネルギー ,  キャリア密度 ,  *電磁波放射 ,  偏光解消 ,  励起子 ,  光ポンピング ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： 吸収エネルギー ,  *サブバンド間遷移

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非対称 ,  量子井戸 ,  テラヘルツ波放射 ,  三準位系 ,  サブバンド間吸収 ,  エネルギーシフト