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J-GLOBAL ID:201002216216389609   整理番号:10A0449930

セレンの混合源を用いたCdSeの等温閉鎖空間昇華成長について

On the isothermal closed space sublimation growth of CdSe using a mixed source for selenium
著者 (8件):
資料名:
巻: 312  号: 11  ページ: 1807-1812  発行年: 2010年05月15日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CdSeエピタキシャル層の等温閉鎖空間昇華成長において,セレン-テルル(SeTe)混合源の使用を考察した。ヘリウム流中で温度350~410°Cで,基板を混合SeTe源の蒸気と元素Cdに連鎖的に曝すことによって,エピタキシャル成長を行った。混合源(Seの分圧を下げるために提唱した)にもかかわらず,テルルの混入は少なく,CdSexTe1-x(x~0.98)エピタキシャル層を得た。主として立方晶の相の(111)小面上に六方晶の包有物が存在することを,X線回折の逆空間マッピングによって示した。黒鉛るつぼの混合源に曝した領域への物質の堆積,Cd源の汚染,大きい成長速度は,黒鉛を経由するセレンの輸送過程の存在を示唆している。この輸送は,黒鉛上へのセレンの堆積とそれに続くカドミウム暴露下でのセレンの活性化脱着の組合せの結果と考えられる。それは,Cd源の純度と成長の動的過程に影響をおよぼし,通常の原子層成膜の修正をもたらす。しかし,エピタキシャル層の再現性のある成長速度を得た。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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