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J-GLOBAL ID：201002216254616805   整理番号：10A0312659

グラフェンフィルムのウエハスケール合成および移動

Wafer-Scale Synthesis and Transfer of Graphene Films

著者 (9件)： LEE Youngbin (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  BAE Sukang (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JANG Houk (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JANG Sukjae (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  ZHU Shou-En (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  SIM Sung Hyun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  SONG Young Il (Samsung Techwin, Seongnam, KOR) ,  HONG Byung Hee (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  AHN Jong-Hyun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 2  ページ： 490-493  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/ケイ素基板にニッケルまたは銅蒸着膜を形成し,その表面にメタンの化学蒸着によりグラフェン膜(ニッケル上3~8層,銅上1~2層;ウエハ径3インチ)を成長させた。PDMSなどの柔らかい高分子基板を圧着し,水中浸漬により金属/SiO₂界面を機械的に剥離し,続いて塩化鉄水溶液中で金属層を除去して得られる高分子基板/グラフェンフィルムを任意の基板上に圧着し,高分子層のピールオフによりグラフェン層の移設が可能である。FETを作製し,正孔移動度1100±70,電子移動度550±50cm²/Vsを得た。伸縮性の抵抗歪みゲージを試作した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *複合フィルム ,  酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  ニッケル ,  銅 ,  蒸着膜 ,  化学蒸着 ,  結晶成長 ,  無はんだ接続 ,  移設 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *歪計 ,  電気抵抗 ,  アルカン ,  *グラフェン ,  圧着 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  伸縮性 ,  歪ゲージ

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  ゴム・プラスチック材料  (HC02030I) ,  高分子担体・触媒反応  (CG03030W)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (2件)： ウエハ ,  スケール